Breve Resumen
El grafeno es un material bidimensional que puede llevar la electrónica de alta frecuencia a nuevas e interesantes aplicaciones. Por ello es interesante estudiar la física que hay detrás de los transistores de grafeno.
Este proyecto consiste en resolver matemáticamente un modelo de transistores de grafeno que consta de dos ecuaciones diferenciales acopladas:
1. La ley de Gauss de la electrostática en 2 dimensiones (ecuación de Poisson), a resolver mediante el método de elementos finitos.
2. La ecuación de la conservación de la carga en 1 dimensión, a resolver mediante el método de Runge-Kutta.
Es recomendable haber cursado o estar cursando las asignaturas de «Matemáticas de la Especialidad Matemática Industrial» y/o «El Método de los Elementos Finitos en Ingeniería».
Tutores
- Pedro C. Feijoo Guerro (pc.feijoo@upm.es)
- Pedro Galán del Sastre (pedro.galan@upm.es)