Modelos avanzados de transistores de grafeno para electrónica de alta frecuencia

TFG

NOMBRE Y APELLIDOS DE LOS TUTORES/AS (añádanse tantas filas como tutores/as haya)

 

  1. Pedro Carlos Feijoo Guerro

 

e-mail de contacto para el alumnado interesado: pc.feijoo@upm.es

 

ESCUELAS EN LA QUE SE OFERTA:

(TÁCHESE LO QUE NO PROCEDA)

 

ETSIDI ETSII EPES Otras Escuelas

 

RESUMEN:

Los transistores de grafeno prometen revolucionar la electrónica de alta frecuencia debido a sus excepcionales propiedades. Este trabajo de fin de grado se enfocará en un estudio detallado de los modelos de transistores de grafeno utilizados en simuladores de circuitos. El objetivo principal es desarrollar modelos avanzados que incorporen movilidades diferentes para electrones y huecos, una característica que los modelos actuales no contemplan a pesar de las abundantes pruebas experimentales que la respaldan.

Este trabajo consiste en una introducción al modelado matemático de dispositivos electrónicos. Las herramientas principales utilizadas son ecuaciones diferenciales ordinarias y sus técnicas de resolución numérica.